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三菱電機(jī)攜多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展

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放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2017-08-15   瀏覽次數(shù):1029
核心提示:三菱機(jī)電于6月27至29日在上海世博展覽館舉辦的PCIMAsia 2017(上海國際電力元件、可再生動(dòng)力治理博覽會(huì))展會(huì)中,以十款新型功率器件強(qiáng)勢(shì)退場(chǎng),個(gè)中第7代IGBT模塊更初次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱機(jī)電展位號(hào):

三菱機(jī)電于6月27至29日在上海世博展覽館舉辦的PCIMAsia 2017(上海國際電力元件、可再生動(dòng)力治理博覽會(huì))展會(huì)中,以十款新型功率器件強(qiáng)勢(shì)退場(chǎng),個(gè)中第7代IGBT模塊更初次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱機(jī)電展位號(hào):E06)。

三菱機(jī)電以“立異功率器件構(gòu)建可連續(xù)將來”為主題,本年展出的功率器件運(yùn)用規(guī)模逾越五年夜范疇,包含:變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動(dòng)汽車、工業(yè)運(yùn)用和新動(dòng)力發(fā)電,努力為客戶供給高機(jī)能及低消耗的產(chǎn)物。

變頻家電市場(chǎng)                                                                                                         

在變頻家電運(yùn)用方面,三菱機(jī)電展出三款碳化硅功率器件,分離是第一次表態(tài)的全碳化硅DIPIPMTM和碳化硅SBD,別的還有混雜/全碳化硅DIPPFCTM。

全碳化硅DIPIPMTM特殊合適變頻家電,它采取碳化硅MOSFET消耗更低,效力更高;其碳化硅MOSFET本身體二極管作為FWDi,下降反向恢來電流和噪聲。它與超小型的DIPIPMTM封裝雷同,可以使用雷同的電路板,額外電流籠罩15A、25A/600V,集成短路掩護(hù)和欠壓掩護(hù),同時(shí)有溫度模仿量輸入。

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全碳化硅DIPIPMTM

至于碳化硅SBD則可以運(yùn)用在PFC及光伏發(fā)電上。它的消耗比硅器件削減20%,更高I2t,反抗浪涌電流有更強(qiáng)的才能;更強(qiáng)的高頻開關(guān)特征,可使周邊器件小型化(電抗器),額外電流籠罩20A/600V。

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碳化硅SBD

針對(duì)家用空調(diào)設(shè)計(jì)的混雜/全碳化硅DIPPFCTM,它應(yīng)用碳化硅SBD有優(yōu)越的反向恢復(fù)特征,輻射噪聲小;采取碳化硅 MOSFET消耗更低,效力更高(全碳化硅DIPPFCTM)。它與超小型DIPIPMTM封裝雷同,額外電流籠罩20Arms/276Vrms,集成短路掩護(hù)和欠壓掩護(hù),有毛病旌旗燈號(hào)輸入。

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混雜/全碳化硅DIPPFCTM

三菱機(jī)電也持續(xù)展出以SLIMDIP模塊為基本的SLIMDIP-L和SLIMDIP-S兩款產(chǎn)物,SLIMDIP-L用于變頻洗衣機(jī)和變頻空調(diào),而SLIMDIP-S用于變頻冰箱和變頻風(fēng)機(jī)掌握。

兩款SLIMDIP均采取RC-IGBT芯片,完成更高的集成度;封裝面積比超小型DIPIPMTM減少達(dá)30%;內(nèi)置自舉二極管和限流電阻;最年夜運(yùn)轉(zhuǎn)殼溫晉升至115℃;并集成短路掩護(hù)和欠壓掩護(hù),同時(shí)供給溫度模仿量輸入;優(yōu)化引腳結(jié)構(gòu),簡(jiǎn)化電路板布線設(shè)計(jì)。

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SLIMDIP模塊

另外,整流逆變制動(dòng)一體化模塊DIPIPM+,也實(shí)用于變頻家電、通用變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器和商用空調(diào)緊縮機(jī)驅(qū)動(dòng)。它完全地集成整流橋、逆變橋、制動(dòng)單位和響應(yīng)的驅(qū)動(dòng)掩護(hù)電路, 采取第7代CSTBTTM硅片;內(nèi)置短路掩護(hù)、欠壓掩護(hù)功效和溫度模仿量輸入功效;另內(nèi)置自舉二極管(BSD)及自舉限流電阻; 供給額外電流籠罩50A/600V和5~35A/1200V。采取該款模塊設(shè)計(jì)通用變頻器,可以最年夜水平地簡(jiǎn)化電路板布線設(shè)計(jì),減少基板面積,是小功率變頻器低本錢化的最好處理計(jì)劃。

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整流逆變制動(dòng)一體化模塊DIPIPM+

三菱機(jī)電的變頻家電用碳化硅功率器件曾經(jīng)非常成熟,本年展出三款產(chǎn)物,供給低消耗、高效力及小體積的模塊。三菱機(jī)電將持續(xù)秉承可連續(xù)成長信心,賡續(xù)研發(fā)高機(jī)能及高靠得住性的前沿功率器件,來知足電力電子市場(chǎng)的分歧運(yùn)用。

鐵道牽引及電力傳輸市場(chǎng)

在PCIM 亞洲展2017上,三菱機(jī)電為鐵道牽引和電力傳輸,帶來三款功率模塊,分離為新推出的3.3kV及6.5kV HVIPM、X系列的單管及雙管HVIGBT模塊,合適牽引變流器及直流輸電運(yùn)用。

初次表態(tài)展會(huì)的3.3kV及6.5kV HVIPM,可運(yùn)用于鐵道牽引、電力傳輸和高靠得住性變流器等。它集成門極驅(qū)動(dòng)和掩護(hù)電路,完成短路掩護(hù)(片上),過溫掩護(hù)(片上)及欠壓掩護(hù);低飽和壓下降消耗,高靠得住性。三菱機(jī)電以最嚴(yán)厲的質(zhì)量掌握,靜態(tài)和靜態(tài)機(jī)能測(cè)試,100%供給檢測(cè)申報(bào),額外電流籠罩1500A/3.3kV及750A/6.5kV。

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3.3kV及6.5kV HVIPM

至于X系列雙管HVIGBT模塊,采取CSTBTTM構(gòu)造的第7代IGBT和RFC二極管,下降功率消耗;應(yīng)用可下降外部電感的封裝技巧,優(yōu)化產(chǎn)物機(jī)能;應(yīng)用兩種封裝(LV100/HV100),完成兩種絕緣耐壓(6kV/10kV),但二者具有雷同的外形尺寸。LV100封裝包含900A/1.7kV和450A/3.3kV;HV100封裝包含450A/3.3kV、330A/4.5kV和225A/6.5kV;可進(jìn)步體系構(gòu)造設(shè)計(jì)的靈巧性,便利完成逆變器擴(kuò)容。

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LV100封裝(6kV絕緣耐壓)             HV100封裝(10kV絕緣耐壓)


X系列單管HVIGBT模塊,采取第7代IGBT和RFC 二極管硅片技巧,完成更低飽和壓降和開關(guān)消耗;應(yīng)用LNFLR技巧完成低熱阻; 許可最高運(yùn)轉(zhuǎn)結(jié)溫150℃;平安任務(wù)區(qū)(SOA)裕度年夜,續(xù)流恢復(fù)才能強(qiáng); 封裝兼容傳統(tǒng)的H系列和R系列HVIGBT;尺度產(chǎn)物包含1800A/3.3kV、1350A/4.5kV和900A/6.5kV;另外,還有業(yè)界規(guī)格最年夜,針對(duì)電力傳輸運(yùn)用而開辟的6500V/1000A單管HVIGBT。

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X系列單管HVIGBT模塊

工業(yè)市場(chǎng)

針對(duì)工業(yè)運(yùn)用市場(chǎng),第7代IGBT模塊初次作全電壓、全封裝及全系列展出,別的還有第7代智能功率模塊(IPM)。

第7代IGBT模塊,可以運(yùn)用在通用變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器、不連續(xù)電源及新動(dòng)力發(fā)電。它采取了第7代IGBT硅片和RFC二極管硅片,下降消耗;具有650V、1200V和1700V三種電壓品級(jí);涵蓋模塊電流35A至1000A;兼容現(xiàn)有市場(chǎng)主流產(chǎn)物封裝;進(jìn)步產(chǎn)物熱輪回壽命和功率輪回壽命;采取預(yù)涂熱界面資料(PC-TIM),與傳統(tǒng)硅脂比擬,模塊與散熱器的接觸熱阻下降50%;NX封裝具有焊接方法和壓接方法兩種掌握端子可供選擇。

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第7代IGBT模塊                 預(yù)涂熱界面資料                  壓接端子

第7代智能功率模塊(IPM),針對(duì)高端變頻器、伺服機(jī)電驅(qū)動(dòng)器的運(yùn)用而設(shè)計(jì)。它采取了第7代 IGBT和FWDi芯片,完成更低消耗;應(yīng)用更合適伺服驅(qū)動(dòng)器的窄長形封裝;掌握端子與現(xiàn)行L1 系列兼容,實(shí)用異樣的接口電路;針對(duì)分歧的掩護(hù)舉措,輸入分歧的毛病辨認(rèn)旌旗燈號(hào);額外電流籠罩25A~200A/1200V及50A~450A/650V。

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第7代智能功率模塊(IPM)

新動(dòng)力發(fā)電市場(chǎng)

針對(duì)年夜功率光伏逆變器及年夜功率不連續(xù)電源,三菱機(jī)電推出年夜功率三電平逆變器用單管IGBT模塊。它可以依據(jù)分歧須要組建I型或許T型3電平拓?fù)洌痪哂械碗s散電感(1單位模塊8nH,兩單位模塊12nH);高絕緣耐壓達(dá)4000Vrms/1分鐘;最年夜結(jié)溫可達(dá)175℃;最年夜電流品級(jí)到達(dá)1400A/1200V和1000A/1700V。

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年夜功率三電平逆變器用單管IGBT模塊

電動(dòng)汽車市場(chǎng)

J1系列汽車用IGBT模塊是專為電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器,及高靠得住性EV/HEV逆變器設(shè)計(jì),采取低消耗CSTBTTM硅片技巧,及基于硅片的溫度和電流檢測(cè)技巧。其六合一汽車用IGBT模塊,緊湊封拆卸合Pin-fin底板直接冷卻;高靠得住性的DLB(直接主端子綁定)技巧,相符RoHS尺度。

J1系列供給A、B兩種封裝。A型封裝有300A/650V、600A/650V和700A/650V;B型封裝有1000A/650V和600A/1200V,這兩種封裝可以知足從小型電動(dòng)汽車到年夜型電動(dòng)公交車的運(yùn)用請(qǐng)求。

針對(duì)J1系列新型汽車模塊,三菱機(jī)電將供給包含驅(qū)動(dòng)電路、冷卻水套及薄膜電容的全體處理計(jì)劃技巧支撐,以便利客戶疾速運(yùn)用該模塊完成汽車用逆變器的設(shè)計(jì)。

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J1系列A封裝

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J1系列B封裝


三菱機(jī)電電機(jī)(上海)無限公司簡(jiǎn)介

三菱機(jī)電創(chuàng)建于1921年,是全球著名的綜合性企業(yè)團(tuán)體。在2017年的《財(cái)富》500強(qiáng)排名中,名列第276。

作為一家技巧主導(dǎo)型的企業(yè),三菱機(jī)電具有多項(xiàng)搶先技巧,并憑壯大的技巧實(shí)力和優(yōu)越的企業(yè)信用在全球的電力裝備、通訊裝備、工業(yè)主動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占領(lǐng)側(cè)重要的位置。

三菱機(jī)電電機(jī)(上海)無限公司把宏揚(yáng)國人聰明,首創(chuàng)電機(jī)新紀(jì)元視為義不容辭的責(zé)任與任務(wù)。憑仗優(yōu)勝的技巧與發(fā)明力進(jìn)獻(xiàn)家當(dāng)?shù)某砷L以增進(jìn)社會(huì)繁華。

三菱機(jī)電半導(dǎo)體產(chǎn)物包含三菱功率模塊(IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等)、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)物,個(gè)中三菱功率模塊在機(jī)電掌握、電源和白色家電的運(yùn)用中有助于您完成變頻、節(jié)能和環(huán)保的需求;而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)物將為您在各類模仿/數(shù)字通信、有線/無線通信等運(yùn)用中供給處理計(jì)劃。

 
 
 
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