跟著功率半導體的賡續成長和技巧提高，功率器件下流家當的穩步擴大，將來在政策資金支撐和國際新動力汽車的蓬勃成長下，國際功率半導體家當將迎來黃金成長期。

6月26日，PCIM 亞洲 2018展會在上海世博展覽館盛大舉辦。作為全球500強企業，同時也是古代功率半導體器件的開辟者，年夜中國區三菱機電半導體攜多款功率器件產物及相干處理計劃表態，同時宣布了更高集成度、更小體積、更能下降臨盆本錢，并具有周全掩護功效的外面貼裝型IPM，和助力新動力發電運用新封裝年夜功率IGBT模塊兩款最新產物。

（圖一：2018三菱機電半導體媒體宣布會現場）

三菱機電半導體首席技巧官Dr. Gourab Majumdar、年夜中國區三菱機電半導體總司理楠真1、三菱機電捷敏功率半導體（合肥）無限公司技巧辦事中間總監商明、年夜中國區三菱機電半導體技巧總監宋高升、年夜中國區三菱機電半導體市場總監錢宇峰、年夜中國區三菱機電半導體公關宣揚主管閔麗豪悉數列席此次新品宣布會。

（圖二（從右到左）：年夜中國區三菱機電半導體總司理楠真1、三菱機電半導體首席技巧官Dr. Gourab Majumdar、年夜中國區三菱機電半導體市場總監錢宇峰加入宣布會媒體問答環節）

為了進一步穩固三菱機電功率半導體在變頻家電市場的搶先位置，三菱機電將依托位于合肥的功率半導體工場和結合試驗室，為中國客戶供給更好、更快的支撐；而在鐵道牽引、電動汽車和工業新動力運用范疇，三菱機電將連續性地結合國際著名年夜學和專業設計公司，開辟當地化的基于新型功率半導體的全體處理計劃。

五年夜范疇齊發力

在三菱機電以“立異功率器件構建可連續將來”為主題的展館，三菱機電功率器件在變頻家電、工業、新動力、軌道牽引、電動汽車五年夜運用范疇賡續立異，新品迭出。

（圖三：三菱機電赴PCIM 亞洲 2018展會參展展臺）

在變頻家電范疇，面向變頻冰箱和風機驅動的SLIMDIP-S和面向變頻空折衷洗衣機的SLIMDIP-L智能功率模塊、外面貼裝型IPM有助于推進變頻家電完成小型化。

在工業運用方面，三菱機電第七代IGBT和第七代IPM模塊，初次采取SLC封裝技巧，使得模塊的運用壽命年夜幅延伸。在新動力發電特殊是風力發電范疇，本年推出基于LV100封裝的新型IGBT模塊，有益于晉升風電變流器的功率密度和機能價錢比。

在軌道牽引運用范疇，X系列HVIGBT平安任務區域度年夜、電流密度增長、抗濕度魯棒性加強，有助于進一步進步牽引變流器現場運轉的靠得住性。而在電動汽車范疇，J1系列Pin-fin模塊具有封裝小、外部雜散電感低的特征。

2018年，三菱機電將在以上五年夜范疇，強化新產物的推行和運用力度。在變頻家電范疇，三菱機電將在分體式變頻空折衷變頻洗衣機中擴展和強化SLIMDIP-L的運用，在空調電扇和變頻冰箱中慢慢擴展SLIMDIP-S的運用，在更小功率的變頻家電運用中慢慢推行應用外面封裝型IPM。在中高壓變頻器、光伏逆變器、電動年夜巴、儲能逆變器、SVG、風力發電等運用中，三菱機電將強化第7代IGBT模塊的市場拓展；而在電動乘用轎車范疇，三菱機電將為客戶供給電動汽車公用模塊和全體處理計劃；在軌道牽引范疇，將最新的X系列HVIGBT的推行到高鐵、動車、地鐵等運用范疇。

（圖四：年夜中國區三菱機電半導體技巧總監宋高升為PCIM展會專業不雅眾講授三菱機電最新技巧）

立異技巧引領行業成長

六十年以來，三菱機電之所以可以或許一向堅持行業搶先位置在于連續性和立異性的研討與開辟。

作為功率元器件的焦點，IGBT芯片的主要性不問可知。在功率半導體最新技巧成長方面，三菱機電IGBT芯片技巧一向在提高，第三代IGBT是平板型的結構，第四代IGBT是溝槽性的結構，第五代成為CSTBTTM，第六代是超薄化CSTBTTM，第七代IGBT結構加倍微細化和超薄化的CSTBTTM。

從IGBT芯片的機能指數（FOM）下去看，第六代已比第一代進步了16倍，第七代比第一代進步了26倍。從封裝技巧來看，在小容量花費類DIPIPMTM產物中，三菱機電采取了壓注模的封裝辦法。在中容量工業產物、電動汽車公用產物中，采取了盒式封裝。而在年夜容量、特殊是用在高鐵上的產物中，采取了高機能的碳化硅鋁底板，然后再用盒式封裝完成。

在量產供給的同時，三菱機電也在為下一個需求迸發點蓄勢發力，年夜概在2022年閣下，三菱機電將會斟酌12英寸功率元器件產線的投資。在Dr.Gourab Majumdar看來，2020-2022年，IGBT芯片市場將會有年夜幅的增加。

SiC作為下一代功率半導體的焦點技巧偏向，與傳統Si-IGBT模塊比擬， SiC功率模塊最重要優勢是開關消耗年夜幅減小。關于特定逆變器運用，這類優勢可以減小逆變器尺寸，進步逆變器效力及增長開關頻率。今朝，基于SiC功率器件逆變裝備的運用范疇正在賡續擴展。但受制于本錢身分，今朝SiC功率器件市場滲入滲出率很低，跟著技巧提高，碳化硅本錢將疾速降低，將來將是功率半導體市場主流產物。

（圖五：三菱機電半導體首席技巧官Dr. Gourab Majumdar）

“碳化硅功率模塊因為有耐低溫、低功耗和高靠得住性的特色，可以拓展更多運用范疇。關于今后開辟新市場來講，碳化硅是最好的選擇。”Dr.Gourab Majumdar說。

三菱機電從2013年開端推出第一代碳化硅功率模塊，現實上，早在1994年，三菱機電就開端了針對SiC技巧的開辟； 2015年開端，SiC功率器件開端進入浩瀚全新運用范疇，同年，三菱機電開辟了第一款全SiC功率模塊，裝備在機車牽引體系在日本新支線裝置應用。三菱機電SiC功率模塊產物線已涵蓋額外電流15A~1200A及額外電壓600V~3300V，今朝都可供給樣品。

因為碳化硅需求量急速增加，2017年，三菱機電投資建造6英寸晶圓臨盆線，合營新技巧來縮少芯片尺寸，今朝該產線正按籌劃推動中，估計2019年將完成量產。

電力電子行業對功率器件的請求更多地表現在晉升效力與減小尺寸功率密度方面，是以新型SiC MOSFET功率模塊將取得愈來愈多的運用。為了知足功率器件市場對噪聲低、效力高、尺寸小和分量輕的請求，三菱機電一向努力于研討和開辟高技巧產物。正在抓緊研發新一代溝槽柵SiC MOSFET芯片技巧， 該技巧將進一步改良短路耐量和導通電阻的關系，并籌劃在2020年完成新型SiC MOSFET模塊的貿易化。

外面貼裝型IPM和第7代IGBT模塊（LV100封裝）

繼客歲展出了用于變頻家電的小封裝的SLIMDIP-S/SLIMDIP-L后，三菱機電本年展出了更小封裝的外面貼裝型IPM。值得一提的是，IPM相對不是簡略的把驅動和IGBT放到一個盒子里這么簡略，怎樣能讓它施展外面內置的功率元器件最好的機能，讓用戶體驗更好，才是癥結。

據悉，該新品實用于家用變頻空調電扇、變頻冰箱、變頻洗碗機等機電驅動體系。并籌劃于9月1日開端出售。這款產物將組成三相逆變橋的RC-IGBT（反領導通IGBT）、高電壓掌握用IC、低電壓掌握用IC，和自舉二極管和自舉電阻等器件集成在一個封裝中。 該產物采取外型尺寸為15.2mm×27.4mm×3.3mm的外面封裝型，可以經由過程回流焊接裝配裝置到印刷電路板上去。

外面貼裝型IPM具有三年夜特征：1、經由過程外面貼裝，使體系裝置變得更輕易；2、該產物經由過程內置掌握IC和最好的引腳結構，在完成體系的小型化并使基板布線簡化方面具有積極意義；3、而經由過程內置掩護功效，可以贊助進步體系的設計自在度。

在第7代IGBT模塊后，三菱機電本年推出了實用于工業及新動力運用的通用年夜功率模塊——第7代IGBT模塊（LV100封裝）。

該產物在通用變頻器，高壓變頻器，風力發電等范疇的運用市場遼闊，低雜散電感相符將來年夜功率變流器的封裝設計；采取第7代功率芯片組 和SLC 技巧，進步性價比；另外，該產物下降開關消耗，有益于進步開關頻率；而且去除底板焊接層，進步熱輪回壽命。

助力社會將來成長

除精雕細琢產物以外，三菱機電更是視助力社會將來成長為己任，存眷下一代生長教導和節能減排。

今朝，三菱機電已在清華年夜學、浙江年夜學、華中科技年夜學、合肥工業年夜學四所高校設立了三菱機電電力電子獎學金，并設立了功率器件運用結合試驗室。

到2021年，正好是三菱機電成立100周年，為了慶賀100周年，早年幾年開端，三菱機電外部就制訂了對應節能環保社會請求的計劃，爭奪在100周年的時刻完成這一目的。

現實上，功率半導體臨盆發生的無害物資是很少的，基于機能優良的第7代IGBT芯片，經由過程改良資料和封裝技巧，三菱機電正賡續進步功率半導體器件的節能后果。